Item request has been placed! ×
Item request cannot be made. ×
loading  Processing Request

Phonon–plasmon coupling in Si doped GaN nanowires

Item request has been placed! ×
Item request cannot be made. ×
loading   Processing Request
Read More Add to Saved list
  • Additional Information
    • Contributors:
      Univ Valencia, Inst Ciencia Mat, E-46980 Paterna, Valencia, Spain; Semi-conducteurs à large bande interdite (SC2G ); Institut Néel (NEEL); Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]); Nanophysique et Semiconducteurs (NPSC); PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS); Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG); Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA); Semi-conducteurs à large bande interdite (NEEL - SC2G); Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]); Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ); Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG)
    • Publication Information:
      Elsevier BV, 2016.
    • Publication Date:
      2016
    • Abstract:
      The vibrational properties of silicon doped GaN nanowires with diameters comprised between 40 and 100 nm are studied by Raman spectroscopy through excitation with two different wavelengths: 532 and 405 nm. Excitation at 532 nm does not allow the observation of the coupled phonon-plasmon upper mode for the intentionally doped samples. Yet, excitation at 405 nm results in the appearance of a narrow peak at frequencies close to that of the uncoupled A1(LO) mode for all samples. This behavior points to phonon-plasmon scattering mediated by large phonon wave-vector in these thin and highly doped nanowires.
    • File Description:
      application/pdf
    • ISSN:
      1369-8001
    • Accession Number:
      10.1016/j.mssp.2016.02.017
    • Rights:
      Elsevier TDM
    • Accession Number:
      edsair.doi.dedup.....eee6767a653e708e72f148715265b7e6