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Design and Characterization of an Optical 4H-SiC Bipolar Junction Transistor

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  • Additional Information
    • Contributors:
      Ampère, Département Energie Electrique (EE); Ampère (AMPERE); École Centrale de Lyon (ECL); Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL); Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon); Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL); Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE); Lumière, nanomatériaux et nanotechnologies (L2n); Université de Technologie de Troyes (UTT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS); Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis (ISL); DGA-Matériaux et Nanosciences Grand-Est (MNGE); Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
    • Publication Information:
      CCSD
    • Publication Date:
      2023
    • Collection:
      Institut National de la Recherche Agronomique: ProdINRA
    • Subject Terms:
      Sorrente; Italy
    • Abstract:
      International audience ; In this paper, a first demonstration of the optical triggering about a 10 kV 4H-SiC Bipolar Junction Transistor is reported. A laser emitting UV (349 nm) has been used for the generation electron-hole pairs within the device. A current density about 20 A.cm-2 has been obtained. This low value in comparison with 100 A.cm-2 for “conventional” BJT is due to the low pulse width (5 ns). The current waveform shows the effect of the carrier lifetime in the base and collector regions. From these measurements, we have extracted the IC (VCE) characteristics for different laser power and the switch-on time which is about 1 µs.
    • Online Access:
      https://hal.science/hal-04222211
      https://hal.science/hal-04222211v1/document
      https://hal.science/hal-04222211v1/file/ICSCRM_2023_paper_5661.pdf
    • Rights:
      info:eu-repo/semantics/OpenAccess
    • Accession Number:
      edsbas.D2CDFC6