Search Results

Investigation of Temperature Effects on the Characteristics of Bipolar Junction Transistor

• Authors : Thiab Hasan Ghanim; Hlal Mutlaq Ali; Halaf Husain Mohammed

Subjects: Microbiology; QR1-502; Physiology

• Source: BIO Web of Conferences, Vol 97, p 00110 (2024)

Record details

Réalisation et modélisation Monte-Carlo du Transistor Bipolaire à Hétérojonctions NnpnN InGaAlAs/InGaAs/InGaAlAs

• Authors : Jean-Luc Pelouard; P. Hesto; J. P. Praseuth

Subjects: heterojunction bipolar transistors; Materials science; Thermionic emission

• Source: Revue de Physique AppliquéeRevue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1987, 22 (8), pp.905-911. ⟨10.1051/rphysap:01987002208090500⟩

Record details

Semiconductor Switch: Key Components and Future Developments in Power Electronics

• Authors : Ji Mengdie; Zhu Guli

Subjects: Engineering (General). Civil engineering (General); TA1-2040

• Source: MATEC Web of Conferences, Vol 404, p 02002 (2024)

Record details

Contribution au développement du transistor bipolaire à fort gain et d'un interrupteur bidirectionnel à quatre quadrants ; The contribution to the development of the super-gain BJT and of a four-quadrants bidirectional switch

• Authors : Ren, Zheng;

Subjects: Interrupteur bidirectionnel; Modélisation physique; Simulation à éléments finis

Record details

Design, fabrication and electrical characterization of SiC power devices with a high breakdown voltage

• Authors : Huang , Runhua;

Subjects: [SPI.OTHER]Engineering Sciences [physics]/Other; Diode de puissance; Wide Band Gap SemiConductor

• Source: Autre. INSA de Lyon, 2011. Français. ⟨NNT : 2011ISAL0096⟩Autre. INSA de Lyon, 2011. Français. 〈NNT : 2011ISAL0096〉

Record details

Design, fabrication and electrical characterization of SiC power devices with a high breakdown voltage ; Conception, suivi de fabrication et caractérisation électrique de composants haute tension en SiC

• Authors : Huang, Runhua;

Subjects: Power Electronics; Power Component; Electrical properties

• Source: https://theses.hal.science/tel-00708553 ; Autre. INSA de Lyon, 2011. Français. ⟨NNT : 2011ISAL0096⟩.

Record details